ADR439: 超低噪声XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
ADR439 是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR439 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。ADR439 的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。ADR439 提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
技术特性
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 µV 峰峰值（2.5 V输出）
- 无需外部电容
- 低温度系数
A 级: 10 ppm/°C （最大值）
B 级: 3 ppm/°C （最大值）
- 负载调整率：15 ppm/mA
- 电压调整率：20 ppm/V
- 宽工作电压范围：
ADR430: 4.1 V 至 18 V
ADR431: 4.5 V 至18 V
ADR433: 5.0 V 至 18 V
ADR434: 6.1 V 至 18 V
ADR435: 7.0 V 至 18 V
ADR439: 6.5 V 至18 V
- 高输出源电流和吸电流：+30 mA和−20 mA
- 宽温度范围：−40°C至+125°C
应用领域
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 光纤控制电路
- 精密仪器
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技术指标
- Vout: 1.2
- Initial Accuracy (%): 0.4
- Ref Out TC (ppm/C): 5ppm/C
- Initial Accuracy (mV): 5mV
- 0.1-10 Hz Noise (µV p-p): 2.2µV p-p
- Ref Output Current (mA): 0.1mA
- Min V Supply (V): 2.4V
- Max V Supply (V): 5.5V
- Supply Current : 16µA
功能框图
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订购指南
| 产品型号 |
封装 |
引脚 |
温度范围 |
包装和数量 |
报价*(100-499) |
报价*1000 pcs |
RoHS |
| ADR439ARMZ-REEL7 产品状态: 量产 |
8 ld MSOP |
8 |
工业 |
Reel, 1000 |
- |
$ 2.96 |
Y 材料信息 |
| ADR439ARZ-REEL7 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Reel, 1000 |
- |
$ 2.96 |
Y 材料信息 |
| ADR439BRZ-REEL7 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Reel, 1000 |
- |
$ 4.41 |
Y 材料信息 |
ADR439 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载
- ADR439 数据手册DataSheet 下载 . pdf
- ADI 模拟器件公司比较器产品选型指南 . pdf
- Analog Devices, Inc. 美国模拟器件公司产品订购手册 .pdf
