ADR444: 超低噪声LDO XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力

ADR444 是XFET®系列基准电压源,具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR44x电压随温度变化的非线性度大幅降至最小。XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源,且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合,使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光纤网络和医疗应用中的精密信号转换。ADR44x系列的源电流输出最高达10 mA,最大吸电流能力为−5 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。ADR44x系列分为两种电气等级,提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

技术特性
  • 超低噪声(0.1 Hz至10 Hz)
    ADR440: 1 μV 峰峰值
    ADR441: 1.2 μV 峰峰值
    ADR443: 1.4 μV 峰峰值
    ADR444: 1.8 μV 峰峰值
    ADR445: 2.25 μV 峰峰值
  • 输入范围: (VOUT + 500 mV) 至 18 V
  • 出色的温度系数
    A 级: 10 ppm/°C
    B 级: 3 ppm/°C
  • 低压差工作:500 mV
  • 高输出源电流和吸电流,分别为 +10 mA 和−5 mA
  • 宽温度范围:−40°C至+125°C
应用领域
  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 电池供电仪器仪表
  • 便携式医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 精密仪器
  • 光纤控制电路
技术指标
  • Vout: 4.096
  • Initial Accuracy (%): 0.04
  • Ref Out TC (ppm/C): 1ppm/C
  • Initial Accuracy (mV): 1.6mV
  • 0.1-10 Hz Noise (µV p-p): 1.8µV p-p
  • Ref Output Current (mA): 10mA
  • Min V Supply (V): 4.6V
  • Max V Supply (V): 18V
  • Supply Current : 3.75mA
功能框图

订购指南
产品型号 封装 引脚 温度范围 包装和数量 报价*(100-499) 报价*1000 pcs RoHS
ADR444ARMZ 产品状态: 量产 8 ld MSOP 8 工业 Tube, 50 $ 2.69 $ 2.68 Y  材料信息
ADR444ARMZ-REEL7 产品状态: 量产 8 ld MSOP 8 工业 Reel, 1000 $ 0.00 $ 2.68 Y  材料信息
ADR444ARZ 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Tube, 98 $ 2.55 $ 2.53 Y  材料信息
ADR444ARZ-REEL7 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Reel, 1000 $ 0.00 $ 2.53 Y  材料信息
ADR444BRZ 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Tube, 98 $ 4.02 $ 3.29 Y  材料信息
ADR444BRZ-REEL7 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Reel, 1000 $ 0.00 $ 3.29 Y  材料信息
ADR444 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载
  1. ADR444 数据手册DataSheet 下载 . pdf
  2. ADI 模拟器件公司比较器产品选型指南 . pdf
  3. Analog Devices, Inc. 美国模拟器件公司产品订购手册 .pdf