特点- 高线性和 P1dB
- 跨多种负荷条件下均保持稳定
- 温度补偿的内置可调节偏置电路
- GaAs E-pHEMT 技术[1]
- 标准 QFN 3X3 封装
- 5V 电源电压
- 产品规格整齐划一
- 卷带式封装
- MSL-1、无铅设计
- Point MTTF > 300 年，在 120°C 通道温度下
Applications- A 级驱动放大器，用于 GSM/CDMA 基站。
- 通用增益方块。
相关产品 | | Specification | Value |
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| Lifecycle | Active | | RoHS6 Compliant | Y | | Distrib. Inventory | Yes | | Samples Available | Yes | | Max Qty of Samples | 5 | | RF Freq (GHz) | | | IF Freq (GHz) | | | Conversion Gain (dB) | | | LO/RF Isol. (dB) | | | IIP3 (dBm) | | | Frequency (GHz) | 0.4-1 | | Bias Condition (V@mA) | 5V@202.8mA | | NF (dB) | 2.0 | | Gain (dB) | 17 | | P1dB (dBm) | 27.7 | | OIP3 (dBm) | 44.1 | | Package | QFN 3x3 | | IP1dB (dBm) | |
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