ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有版本的额定工作范围均为扩展工业温度范围−40°C至+125°C。
ADR435-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）
产品特点和性能优势
| 线性产品参考电路
|
| 文档 | 备注 |
| AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) | PDF 237 kB |
| 文档 | 备注 |
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ADR435ARMZ 量产 | 8 ld MSOP | OTH 50 | -40 至 125至 | 3.18 | 2.96 | Y |
| ADR435ARMZ-REEL7 量产 | 8 ld MSOP | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 2.96 | Y |
| ADR435ARZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 3.18 | 2.96 | Y |
| ADR435ARZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 2.96 | Y |
| ADR435BRMZ 量产 | 8 ld MSOP | OTH 50 | -40 至 125至 | 4.74 | 4.41 | Y |
| ADR435BRMZ-R7 量产 | 8 ld MSOP | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 4.41 | Y |
| ADR435BRZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 4.74 | 4.41 | Y |
| ADR435BRZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 4.41 | Y |
| ADR435TRZ-EP 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -55 至 125至 | 7.11 | 6.62 | Y |
| ADR435TRZ-EP-R7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -55 至 125至 | 0 | 6.62 | Y |
