ADRF5130 0.7 GHz至3.5 GHz高功率、44 W峰值、硅SPDT、反射式开关

ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关,采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用,如长期演进(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm(典型值)高功率处理能力、0.6 dB低插入损耗、68 dBm(典型值)输入线性度三阶交调截点和46 dBm下的0.1 dB压缩点(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作,典型偏置电流为1 mA,使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。

应用

产品特点和性能优势
  • 反射式50 Ω设计
  • 低插入损耗:0.6 dB(典型值,2 GHz)
  • 高隔离度:50 dB(典型值,2 GHz)
  • 高功率处理
    • 连续平均功率:43 dBm
    • 峰值功率:46.5 dBm
  • 连续平均功率:43 dBm
  • 峰值功率:46.5 dBm
  • 高线性度
    • 0.1 dB压缩(P0.1dB):>46 dBm(典型值)
    • 输出三阶交调截点(IP3):68 dBm(典型值,2 GHz)
  • 0.1 dB压缩(P0.1dB):>46 dBm(典型值)
  • 输出三阶交调截点(IP3):68 dBm(典型值,2 GHz)
  • ESD额定值
    • 人体模型(HBM):2 kV,2级
    • 充电器件模型(CDM):待定
  • 人体模型(HBM):2 kV,2级
  • 充电器件模型(CDM):待定
  • 单正电源
    • VDD:5 V
  • VDD:5 V
  • 正控制,TTL兼容
    • VCTL: 0 V 或 5 V
  • VCTL: 0 V 或 5 V
  • 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 (16 mm2)
  • 射频和微波
    S参数
    数据手册
    文档备注
    ADRF5130: High Power, 44 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.7 GHz to 3.5 GHz Data Sheet (Rev. 0)PDF 340.55 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    ADRF5130BCPZ 量产24 ld LFCSP (4x4mm w/2.7mm EP)OTH 50-40 至 105至15.0710.04Y
    ADRF5130BCPZ-R7 量产24 ld LFCSP (4x4mm w/2.7mm EP)REEL 500-40 至 105至15.0710.04Y
    评估板
    产品型号描述美金报价RoHS
    ADRF5130-EVALZEvaluation Board99Y
    ADRF5130: High Power, 44 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.7 GHz to 3.5 GHz Data Sheet (Rev. 0) adrf5130
    ADRF5130 S-parameters adrf5130