HMC-ALH382 低噪声放大器芯片,57 - 65 GHz

HMC-ALH382是一款高动态范围、四级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为57至65 GHz。 HMC-ALH382具有21 dB小信号增益、4 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB压缩),采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。

这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。

应用
  • 短程/高容量链路
  • 无线局域网(LAN)
  • 军事和太空
产品特点和性能优势
  • 噪声系数: 3.8 dB
  • P1dB: +12 dBm
  • 增益: 21 dB
  • 电源电压: +2.5V
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸: 1.55 x 0.73 x 0.1 mm
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC-ALH382 Data SheetPDF 714.56 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC-ALH382 量产CHIPS OR DIEOTH 50-55 至 85至38.0730.84Y
    HMC-ALH382-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-55 至 85至00Y
    参考资料
    HMC-ALH382 Data Sheet hmc-alh382-die
    HMC-ALH382 S-Parameter hmc-alh382-die
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    38, 60 & 82 GHz MMICs for High Capacity Communication Links hmc-sdd112