HMC1121 4 W、GaAs pHEMT MMIC功率放大器,5.5 GHz至8.5 GHz

HMC1121是一款集成温度补偿片内功率检波器的三级、砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、4 W功率放大器,工作频率范围为5.5 GHz至8.5 GHz。HMC1121提供28 dB增益,44 dBm输出IP3和36.5 dBm饱和输出功率,7 V电源电压(30% PAE)。

HMC1121提供卓越的线性度并针对高容量、点到点和点到多点无线电系统进行优化。该放大器的配置和高增益使之成为天线之前最后一级信号放大应用的绝佳选择。

HMC1121非常适合较大规模应用,提供40引脚LFCSP封装。

应用
  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电
  • 甚小孔径终端(VSAT)和卫星通信(SATCOM)
  • 军事电子战(EW)和电子对抗(ECM)
产品特点和性能优势
  • 高饱和输出功率(PSAT):36.5 dBm(功率附加效率(PAE)为30%时)
  • 高输出三阶交调截点(IP3):44 dBm(典型值)
  • 高增益:28 dB(典型值)
  • 针对1 dB压缩(P1dB)的高输出功率:36 dBm(典型值)
  • 总电源电流:2200 mA (7 V)
  • 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装:36 mm2
  • 射频和微波
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC1121: 4 W, GaAs, pHEMT, MMIC Power Amplifier, 5.5 GHz to 8.5 GHz Data Sheet (Rev. 0)PDF 391.83 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC1121LP6GE 量产40 ld QFN (6x6mm w/4.7mm ep)OTH 50-40 至 85至57.247.63Y
    HMC1121LP6GETR 量产40 ld QFN (6x6mm w/4.7mm ep)REEL 500-40 至 85至57.247.63Y
    评估板
    产品型号描述美金报价RoHS
    EV1HMC1121LP6GEvaluation Board499N
    HMC1121: 4 W, GaAs, pHEMT, MMIC Power Amplifier, 5.5 GHz to 8.5 GHz Data Sheet (Rev. 0) hmc1121
    HMC1121LP3E S-parameters hmc1121
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e