HMC349AMS8G 高隔离度SPDT非反射开关，DC - 4 GHz
HMC349AMS8G和HMC349AMS8GE是高分辨率非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关，采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装，带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/PCS/3G基站应用，实现高达50至60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+52 dBm的输入IP3。 在3.5 GHz WLL频段，该开关具有很高的功率处理能力，另外提供+34 dBm的P1dB压缩点。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的单正电压控制。 使能输入(EN)设为逻辑高电平可将该开关置于“全部关断”状态。
应用
- 基站基础设施
- MMDS和3.5 GHz WLL
- CATV/CMTS
- 测试仪器仪表
产品特点和性能优势- 高隔离度： 70 dB（1 GHz时）；
57 dB（2 GHz时） - 单正控制： 0/+5V
- +52 dBm输入IP3
- 非反射式设计
- 全部关断状态
- 超小型MS8G SMT封装： 14.8 mm2
| S参数 |
数据手册
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| HMC349AMS8GE 量产 | 8 ld MSOP_EP | OTH 50 | -40 至 125至 | 2.94 | 1.88 | Y |
| HMC349AMS8GETR 量产 | 8 ld MSOP_EP | REEL 500 | -40 至 125至 | 2.94 | 1.88 | Y |
评估板
| 产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
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| EV1HMC349AMS8G | Evaluation Board | 259.77 | N |
参考资料
