HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。

所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。

应用
  • 微波和VSAT无线电
  • 测试设备
  • 军用EW、ECM、C³I
  • 空间电信
产品特点和性能优势
  • 增益: 12 dB
  • P1dB输出功率: +14 dBm
  • 稳定的温度增益
  • 50 Ohm I/O
  • 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC396 Data SheetPDF 539.1 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC396 量产CHIPS OR DIEOTH 50-55 至 85至14.712.02Y
    HMC396-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-55 至 85至00Y
    参考资料
    HMC396 Data Sheet hmc396-die
    HMC396 S-Parameter hmc396-die
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-B (QTR: 2013-00229) hmc311sc70