HMC414 InGaP HBT功率放大器SMT,2.2 - 2.8 GHz

HMC414MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器,工作频率范围为2.2至2.8 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益,饱和功率为+30 dBm(32% PAE时),电源电压为+5V。 该放大器还可采用3.6V电源工作。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。

应用
  • 蓝牙
  • MMDS
产品特点和性能优势
  • 增益: 20 dB
  • 饱和功率: +30 dBm
  • 32% PAE
  • 电源电压: +2.75V至+5V
  • 省电功能
  • 外部器件数量少
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC414 Data SheetPDF 594.64 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC414MS8GE 量产8 ld MSOP_EPOTH 50-40 至 85至6.25.02Y
    HMC414MS8GETR 量产8 ld MSOP_EPREEL 500-40 至 85至6.25.02Y
    评估板
    产品型号描述美金报价RoHS
    105006-HMC414MS8GEvaluation Board - HMC414MS8G Evaluation PCB347.13Y
    参考资料
    HMC414 Data Sheet hmc414
    HMC414 S-Parameter hmc414
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-B (QTR: 2013-00229) hmc311sc70
    Package/Assembly Qualification Test Report: MS8G (QTR: 2014-00393) hmc536ms8g
    PCN: MS, QS, SOT, SOIC packages - Sn/Pb plating vendor change hmc536ms8g
    HMC Legacy PCN: MS##, MS##E and MS##G,MS##GE packages - Relocation of... hmc536ms8g
    MSOP 8 & 10 Tape Specification (MS8, MS8G, MS10, MS10G) hmc349ams8g