HMC635-Die 驱动放大器芯片，18 - 40 GHz _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

HMC635-Die 驱动放大器芯片，18 - 40 GHz

HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片，工作频率范围为18至40 GHz。该放大器提供19.5 dB的增益，+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率（1 dB增益压缩时），功耗为280 mA（+5V电源）。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器，或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器，可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。隔直放大器I/O内部匹配50 Ω，非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。所有芯片数据均利用芯片获取，其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。

应用

产品特点和性能优势

增益： 19.5 dB

P1dB: +23 dBm

输出IP3： +29 dBm

饱和功率：
+24 dBm (15% PAE)

电源电压： +5V (280 mA)

50 Ω匹配输入/输出<

裸片尺寸： 1.95 x 0.84 x 0.10 mm

射频和微波

宽带分布式放大器

S参数

HMC635 Die S-Parameters .PDF

数据手册

文档	备注
HMC635 Die Data Sheet	PDF 645.42 K

应用笔记

文档	备注
AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)	PDF 804.11 K
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)	PDF 804.11 K
MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note	PDF 435.1 K
Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note	PDF 433.77 K
Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note	PDF 189.99 K

订购信息

产品型号	封装	包装数量	温度范围	美金报价 100-499	美金报价 1000+	RoHS
HMC635 量产	CHIPS OR DIE	OTH 25	-55 至 85至	93.54	75.76	Y
HMC635-SX 量产	CHIPS OR DIE	OTH 2	-55 至 85至	0	0	Y

参考资料

质量文档：Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-F (QTR: 2013-00269)

Datasheet: HMC635 Die Data Sheet hmc635-die








Other: AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120; AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120; Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e; HMC635 Die S-Parameters hmc635-die; MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e; Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-F (QTR: 2013-00269) hmc383lc4; Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e