HMC635-Die 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器,或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器,可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω,非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取,其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。

应用

产品特点和性能优势
  • 增益: 19.5 dB
  • P1dB: +23 dBm
  • 输出IP3: +29 dBm
  • 饱和功率:
    +24 dBm (15% PAE)
  • 电源电压: +5V (280 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出<
  • 裸片尺寸: 1.95 x 0.84 x 0.10 mm
  • 射频和微波
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC635 Die Data SheetPDF 645.42 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC635 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至93.5475.76Y
    HMC635-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-55 至 85至00Y
    参考资料
    HMC635 Die Data Sheet hmc635-die
    HMC635 Die S-Parameters hmc635-die
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-F (QTR: 2013-00269) hmc383lc4