HMC659-Die 功率放大器芯片,DC - 15 GHz

HMC659是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器裸片,工作频率范围为DC至15 GHz。 该放大器提供19.1 dB增益、+35 dBm输出IP3和+26.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为300 mA(采用+8V电源)。 HMC619在DC至10 GHz范围内提供±0.4 dB的出色增益平坦度,因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 HMC619放大器I/O内部匹配50 Ω,方便集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。

应用
  • 电信基础设施
  • 微波无线电和VSAT
  • 军事和太空
  • 测试仪器仪表
  • 光纤产品
产品特点和性能优势
  • P1dB输出功率: +26.5 dBm
  • 增益: 19.1 dB
  • 输出IP3: +35 dBm
  • 电源电压: +8V (300 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸: 3.115 x 1.630 x 0.1 mm
  • 射频和微波
    数据手册
    文档备注
    HMC659 Die Data SheetPDF 650.66 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC659 量产CHIPS OR DIEOTH 10-55 至 85至160.96131.7Y
    HMC659-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-40 至 85至00Y
    参考资料
    HMC659 Die Data Sheet hmc659-die
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-F (QTR: 2013-00269) hmc383lc4