MAT01 匹配单芯片双通道晶体管
MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。
该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h，包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益，适合在低功耗、低电平输入级中使用。
产品特点和性能优势- 低VOS（VBE匹配）： 40 μV（典型值）；100 μV（最大值）
- 低TCVOS： 0.5 μV/°C（最大值）
- 高hFE： 500（最小值）
- 出色的hFE线性度：从10 nA至10 mA
- 低噪声电压： 0.23 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz）
- 高击穿电压： 45 V（最小值）
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数据手册
应用笔记
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| MAT01AH 量产 | ROUND HEADER/METAL CAN | OTH 100 | -55 至 125至 | 17.47 | 16.62 | N |
| MAT01AHZ 量产 | ROUND HEADER/METAL CAN | OTH 100 | -55 至 125至 | 15.21 | 14.48 | Y |
| MAT01GH 量产 | ROUND HEADER/METAL CAN | OTH 100 | -55 至 125至 | 10.59 | 10.19 | N |
| MAT01GHZ 量产 | ROUND HEADER/METAL CAN | OTH 100 | -55 至 125至 | 9.75 | 9.28 | Y |
