FDB8030L: 30V N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。

比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

特性

• 80A, 30 V
  
  • RDS(ON) = 0.0035 Ω@ VGS =10 V
  • RDS(ON) = 0.0045 Ω@ VGS =4.5 V
• R_DS(ON) = 0.0035 Ω@ V_GS =10 V
  
• R_DS(ON) = 0.0045 Ω@ V_GS =4.5 V
  
• 在高温下指定的临界DC电气参数
  
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• 175°C最大结温额定值
  

Application Notes