FDFME3N311ZT: 30V Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。 该器件具有一个带低输入电容、完整栅极电荷和通态电阻的MOSFET。 以及一个独立连接的低正向电压和反向泄漏电流的肖特基二极管，可最大限度地提高效率。
MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
特性
- VGS = 4.5 V，ID = 1.6 A时，最大rDS(on) = 299 mΩ
- VGS= 2.5 V，ID = 1.3 A时，最大rDS(on) = 410 mΩ
- 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 不含有卤化合物和氧化锑
- HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
- 符合 RoHS 标准
Ordering Code| 产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|
| FDFME3N311ZT | 量产
绿色：截至2008年12月
中国 RoHS | $0.1051 | UMLP 1.6x1.6 6L (MicroFET)
-
0.55 x 1.6 x 1.6mm,
卷带 | 第一行&Z (工厂编码)
&2 (2 位日期代码)
&K
第二行1T
|
Application Notes
AN-9747 Assembly Guidelines for MicroFET™ 1.6x1.6mm Dual Packaging 最后更新 : 2011年11月02日