FDG311N: N沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合便携式电子产品应用。

特性

• 1.9 A，20 V。 R_DS(ON) = 0.115 Ω @ V_GS = 4.5 V，R_DS(ON) = 0.150 Ω @ V_GS = 2.5 V。
• 低栅极电荷（典型值3nC）。
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)。
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

Application Notes