FDMA3028N: 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件是专为满足蜂窝手机和其他超便携应用中的双开关要求而设计的单封装解决方案。 该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• V_GS = 4.5 V且ID = 3.8 A时，最大r_DS(on) = 68 m_Ω
• V_GS = 2.5 V且ID = 3.4 A时，最大r_DS(on) = 88 m_Ω
• 在V_GS = 1.8 V且ID = 2.9 A时，最大值r_DS(on) = 123 mΩ
• 薄型 – 最厚0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
• 符合RoHS标准

Application Notes