FDME1024NZT: 20V双N沟道Power Trench® MOSFET

该器件专门设计为单封装解决方案，符合蜂窝手机和其他超便携应用的双通道开关要求。 该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。                                                                       MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

特性

• V_GS = 4.5 V，I_D = 3.4 A_{时，Max r}DS(on)
  = 66 mΩ
• V_GS = 2.5 V，I_D = 2.9 A_{时，Max r}DS(on)
  = 86 mΩ
• V_GS = 1.8 V，I_D = 2.5 A_{时，Max r}DS(on)
  = 113 mΩ
• V_GS = 1.5 V，I_D = 2.1 A_{时，Max r}DS(on)
  = 160 mΩ
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• HBM ESD保护等级>1,600V（注3）<强></强>
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes