FDMS3006SDC: 30V N沟道双Cool™ Power Trench® SyncFET™

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。 先进的硅技术和Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

特性

• Dual Cool™ 顶侧冷却PQFN封装
  
• V_GS = 10 V，I_D = 30 A_{时，最大r}DS(on)
  = 1.9 mΩ
• V_GS = 4.5 V，I_D = 26 A_{时，最大r}DS(on)
  = 2.7 mΩ
• 高性能技术可实现极低的r_DS(on)
  
• SyncFET肖特基体二极管
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes