FDS6673BZ: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。

该器件非常适合笔记本电脑和便携电池组中的电源管理和负载开关应用。

特性

• 最大r_DS(on) = 7.8mΩ，V_GS = -10V，I_D = -14.5A
  
• 最大r_DS(on) = 12mΩ，V_GS = -4.5V，I_D = -12A
  
• 扩展了V_GS范围(-25V)，适合电池应用
  
• HBM ESD保护等级，典型值为6.5KV（注3）
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes