FDZ1905PZ: -20Ｖ共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench® WL-CSP MOSFET

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 FDZ1905PZ采用飞兆先进的1.5V PowerTrench®工艺和最新¡°低间距¡± WL-CSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极P沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。 先进的WL-CSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

特性

• 最大 r_S1S2(on) = 126mΩ（V_GS = -4.5V，I_S1S2 = -1A 时）
  
• 最大 r_S1S2(on) = 141mΩ（V_GS = -2.5V，I_S1S2 = -1A 时）
  
• 最大 r_S1S2(on) = 198mΩ（V_GS = -1.8V，I_S1S2 = -1A 时）
  
• 最大r_S1S2(on) = 303mΩ（V_GS = -1.5V，I_S1S2 = -1A 时）
  
• 仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
  
• 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• HBM静电放电保护等级为>4kV（注3）
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes