FDZ191P: -20V P沟道1.5V额定PowerTrench® WL-CSP MOSFET

FDZ191P的设计采用了飞兆先进的1.5 V PowerTrench工艺和一流的"微间距"WLCSP封装工艺，可最大限度地减少PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。 .

特性

• 最大r_DS(on) = 85mΩ （V_GS = -4.5V, I_D = -1A）
  
• 最大 r_DS(on) = 123 mΩ（V_GS = -2.5 V、I_D = -1 A 时）
  
• 最大 r_DS(on) = 200 mΩ（V_GS = -1.5 V、I_D = -1 A 时）
  
• 仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
  
• 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes