FQB25N33TM_F085: 330V N沟道QFET® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大程度地降低导通阻抗，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

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产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FQB25N33TM_F085	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$1.5327	TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带 PDF TO-263 2L (D2PAK) 示意图最后更新: 2016年5月 PDF TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 PDF TO263-2L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 PDF TO263_TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQB 第三行25N33