FQP11P06: P 沟道 QFET® MOSFET -60 V、-11.4 A、175 mΩ

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合低电压应用，例如车用、DC/DC转换器和用于便携式及电池供电产品功率管理的高效开关。

特性

• -11.4 A、-60 V、R_DS(on) = 175 mΩ（最大值）@ V_GS = -10 V、I_D = -5.7 A
• 低栅极电荷（典型值 13 nC)
• 低 Crss（典型值 45 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 175℃ 最大结温额定值

Application Notes