HGTG30N60A4 结合最佳的 MOSFET 高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态传导损耗特性。该 IGBT 非常适合许多工作频率很高,而低导通损耗又至关重要的高压开关应用。该设备已被优化来实现快速开关应用,比如 UPS 和焊机。
第二行G30N60A4