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首页 > FAIRCHILD 飞兆半导体 > IGBT 绝缘栅型双极晶体管 > HGTG30N60A4

HGTG30N60A4: 600V, SMPS IGBT

HGTG30N60A4 结合最佳的 MOSFET 高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态传导损耗特性。该 IGBT 非常适合许多工作频率很高,而低导通损耗又至关重要的高压开关应用。该设备已被优化来实现快速开关应用,比如 UPS 和焊机。

数据手册DataSheet
HGTG30N60A4.pdf
特性
  • 60A, 600V @ TC = 110°C
  • 低饱和电压:V CE(sat) = 1.8 V,需 I C = 30 A
  • 典型下降时间。. . . . . . . . . TJ = 125°C时为58ns
  • 低传导损耗
Ordering Code
产品产品和生态状况单价/1K包装方法规则丝印标记
HGTG30N60A4量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHS$6.39TO-247 3L  -  4.7 x 15.62 x 20.57mm,  管装
  • TO-247 3L  示意图 最后更新: 2016年9月
  • TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING 最后更新: 2015年11月
第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行G30N60A4

Application Notes
  • AN-6004 500W Power-Factor-Corrected (PFC) Converter Design with FAN4810 最后更新 : 2011年3月05日
  • HGTG30N60A4.pdf
    TO-247 3L  Drawing Last Update: Sep 2016
    TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING Last Update: Nov 2015
    500W Power-Factor-Corrected (PFC) Converter Design with FAN4810 Last Update : 05-Mar-2011
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