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NDT2955: P沟道增强模式场效应晶体管
此60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压Trench工艺生产。 已针对功率管理应用进行了优化。
数据手册DataSheet
NDT2955.pdf
特性
-2.5A,-60V
R
DS(ON)
= 300mΩ @ V
GS
= -10V
R
DS(ON)
= 500mΩ @ V
GS
= -4.5V
高密度单元设计可实现极低的R
DS(ON)
高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装。
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
NDT2955
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$0.2904
SOT-223 4L - 1.8 x 6.5 x 3.5mm, 卷带
SOT-223 4L 示意图
最后更新: 2016年7月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
2955
Application Notes
AN-558
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
最后更新 : 2016年3月29日
AN-7515
AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系
最后更新 : 2013年8月27日
AN-9005
快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
最后更新 : 2014年11月26日
AN-7510
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
最后更新 : 2011年3月05日
AN-9065
AN-9065 同步整流中的 FRFET®
最后更新 : 2013年9月09日
AN-4163
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最后更新 : 2014年10月23日
AN-9034
AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南
最后更新 : 2013年8月27日
AN-9010
MOSFET 基础
最后更新 : 2014年6月28日
AN-7533
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
最后更新 : 2011年3月05日
AN-1028
Maximum Power Enhancement Techniques for SOT-223 Power MOSFETs
最后更新 : 2011年3月05日
NDT2955.pdf
Power MOSFET Avalanche Guideline
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MOSFET Basics
Last Update : 09-Sep-2013
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Last Update : 03-Mar-2011
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Last Update: Jul 2016
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
Maximum Power Enhancement Techniques for SOT-223 Power MOSFETs
Last Update : 05-Mar-2011
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