DS1220AD:16k非易失SRAM

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM,按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM,符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配,可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的24引脚DIP封装
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1220AD)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1220AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
DS1220AB、DS1220AD:引脚分配
DS1220AB、DS1220AD:引脚分配
数据手册DataSheet
语言下载文件备注
英文DS1220AB-DS1220AD.pdfRev 4; 10/2010
关键参数
Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1220ABNV SRAM2K x 8Parallel4.755.25EDIP/24$8.17 @1k
DS1220AD4.55.5EDIP/24$8.05 @1k
技术资料
订购型号
型号状况推荐替代产品封装温度RoHS/无铅
DS1220AD-10010%容差、100ns停止供货DS1220AD-100+EDIP,;24引脚;609.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1220AD-100+生产中EDIP,;24引脚;609.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1220AD-100IND10%容差、100ns停止供货DS1220AD-100IND+EDIP,;24引脚;609.6mm²-40°C至+85°C参考数据资料
DS1220AD-100IND+生产中DS1220AD-100+EDIP,;24引脚;609.6mm²-40°C至+85°C参考数据资料
DS1220AD-12010%容差、120ns停止供货DS1220AD-100+EDIP,;24引脚;609.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1220AD-120+生产中DS1220AD-100+EDIP,;24引脚;609.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1220AD-15010%容差、150ns停止供货DS1220AD-100+EDIP,;24引脚;609.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1220AD-150+生产中EDIP,;24引脚;609.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1220AD-20010%容差、200ns停止供货DS1220AD-100+EDIP,;24引脚;609.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1220AD-200+生产中DS1220AD-100IND+EDIP,;24引脚;609.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
型号状况推荐替代产品封装:类型 引脚 占位面积封装图 编码/变更 *温度RoHS/无铅?
DS1220AD-200IND10%容差、200ns停止供货DS1220AD-100IND+EDIP,;24引脚;609.6mm²-40°C至+85°C参考数据资料
DS1220AD-200IND+生产中DS1220AD-100IND+EDIP,;24引脚;609.6mm²-40°C至+85°C参考数据资料
DS1220AB-DS1220AD.pdf DS1220AD
Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM DS1270Y
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Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table DS1270Y
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