DS1250W:3.3V、4096k非易失SRAM

DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250W器件可以用来替代现有的512k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1250W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1250W:引脚分配
DS1250W:引脚分配
数据手册DataSheet
语言下载文件备注
英文DS1250W.pdfRev 4; 12/2010
关键参数
Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1250WNV SRAM512K x 8Parallel33.6
  • EDIP/32
  • PCAP/34
$53.90 @1k
技术资料
订购型号
型号状况推荐替代产品封装温度RoHS/无铅
DS1250W-1003.3V、100ns停止供货DS1250W-100+EDIP,;32引脚;707.2mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1250W-100+生产中EDIP,;32引脚;707.2mm²0°C至+70°CRoHS/无铅:无铅
DS1250W-100IND3.3V、100ns停止供货DS1250W-100IND+EDIP,;32引脚;707.2mm²-40°C至+85°C参考数据资料
DS1250W-100IND+生产中EDIP,;32引脚;707.2mm²-40°C至+85°CRoHS/无铅:无铅
DS1250W-1503.3V、150ns停止供货DS1250W-100+EDIP,;32引脚;707.2mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1250W-150+生产中EDIP,;32引脚;707.2mm²0°C至+70°CRoHS/无铅:无铅
DS1250WP-1003.3V、100ns停止供货DS1250WP-100+PCAP,;34引脚;596.9mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1250WP-100IND3.3V、100ns停止供货DS1250WP-100IND+PCAP,;34引脚;596.9mm²-40°C至+85°C参考数据资料
DS1250WP-100IND+生产中PCAP,;34引脚;596.9mm²-40°C至+85°CRoHS/无铅:无铅
DS1250WP-1503.3V、150ns停止供货DS1250WP-100+PCAP,;34引脚;596.9mm²0°C至+70°C参考数据资料
型号状况推荐替代产品封装:类型 引脚 占位面积封装图 编码/变更 *温度RoHS/无铅?
DS1250WP-150+生产中PCAP,;34引脚;596.9mm²0°C至+70°CRoHS/无铅:无铅
DS1250WP-150-C01停止供货DS1250WP-100+PCAP,;34引脚;596.9mm²0°C至+70°C参考数据资料
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