DS1330W:3.3V、256k非易失SRAM,带有电池监测器

DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外,DS1330W器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1330W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

关键特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 当VCC电压跌落时,电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
  • 电池监视器核查剩余电量
  • 100ns的读写存取时间
  • 没有写次数限制
  • 典型待机电流50µA
  • 可升级32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1330W:引脚分配
DS1330W:引脚分配
数据手册DataSheet
语言下载文件备注
英文DS1330W.pdfRev 3; 10/2010
关键参数
Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1330WNV SRAM32K x 8Parallel33.6PCAP/34$10.43 @1k
技术资料
订购型号
型号状况推荐替代产品封装温度RoHS/无铅
DS1330WP-1003.3V、100ns停止供货DS1330WP-100+PCAP,;34引脚;596.9mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1330WP-100+生产中PCAP,;34引脚;596.9mm²0°C至+70°CRoHS/无铅:无铅
DS1330WP-100IND3.3V、100ns停止供货DS1330WP-100IND+PCAP,;34引脚;596.9mm²-40°C至+85°C参考数据资料
DS1330WP-100IND+生产中PCAP,;34引脚;596.9mm²-40°C至+85°CRoHS/无铅:无铅
DS1330WP-1503.3V、150ns停止供货DS1330WP-100+PCAP,;34引脚;596.9mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1330WP-150+生产中PCAP,;34引脚;596.9mm²0°C至+70°CRoHS/无铅:无铅
DS1330W.pdf DS1330W
Timing Considerations When Using NVSRAM DS1350Y
Battery Monitoring in NV SRAM Modules DS1350Y
NV SRAM Frequently Asked Questions DS1350Y
DS1330W.pdf DS1330W