MRF8VP13350N: 700-1300 MHz，350 W连续波，50 V LDMOS射频功率晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MRF8VP13350N: 700-1300 MHz，350 W连续波，50 V LDMOS射频功率晶体管

特性

内部输入匹配，简单易用
器件可用于单端或推挽配置中
工作电压最高可达50 VDD
适用于有适当偏置的线性应用。
集成的ESD保护
符合RoHS规范

特性

915 MHz工业加热/焊接系统
1300 MHz粒子加速器
900 MHz TETRA基站

OM-780-4L, OM-780G-4L Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MRF8VP13350N 700–1300 MHz, 350 W CW, 50 V RF Power LDMOS Transistors (REV 1) PDF (677.4 kB) MRF8VP13350N [English]	15 Oct 2015

应用说明 (2)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages (REV 3) PDF (910.7 kB) AN1907 [English]	13 May 2009

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (2)

名称/描述	Modified Date
98ASA10833D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins (REV B) PDF (69.8 kB) 98ASA10833D [English]	22 Mar 2016
98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins (REV E) PDF (76.8 kB) 98ASA10834D [English]	22 Mar 2016

支持信息 (1)

名称/描述	Modified Date
New NXP® RF Industrial Transistor (REV 0) PDF (421.7 kB) MRF8VP13350N_TRN_SL [English]	05 May 2015

订购信息

型号	状态	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRF8VP13350GNR3	Active		700	1300	50	55.4	350	350 @ CW	CW	20.7 @ 915	67.5	0.04	Input	AB	LDMOS
MRF8VP13350NR3	Active		700	1300	50	55.4	350	350 @ CW	CW	20.7 @ 915	67.5	0.04	Input	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	MSL	PPT (°C)
OM780-4 GULL PLASTIC	98ASA10834D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX	Active	MRF8VP13350GNR3	MRF8VP13350GNR3.pdf		3	260
OM780-4 PLASTIC	98ASA10833D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX	Active	MRF8VP13350NR3	MRF8VP13350NR3.pdf		3	260

MRF8VP13350N 700–1300 MHz, 350 W CW, 50 V RF Power LDMOS Transistors mrf8vp13350n

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages mrf1570n

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

New NXP® RF Industrial Transistor mrf8vp13350n

98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins MMRF1020-04N

MRF8VP13350GNR3.pdf MRF8VP13350N

98ASA10833D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins MMRF1020-04N

MRF8VP13350NR3.pdf MRF8VP13350N

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