MW7IC008N: 100-1000 MHz，8 W峰值，28 V LDMOS宽带射频集成功率放大器 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MW7IC008N: 100-1000 MHz，8 W峰值，28 V LDMOS宽带射频集成功率放大器

特性

典型连续波性能：VDD = 28 V，IDQ1 = 25 mA，IDQ2 = 75 mA 频率 Gps(dB) 功率附加效率(%) 100 MHz @ 11 W连续波23.555 400 MHz @ 9 W连续波22.541 900 MHz @ 6.5 W连续波23.534
在32 Vdc，900 MHz，连续波输出功率 = 6.5 W(自额定输出功率3 dB输入过驱)时，能承受10:1 VSWR
在5:1 VSWR下保持稳定。在1 mW至8 W连续波输出功率，频率为900 MHz时，所有杂散低于–60 dBc
在1 dB压缩点，频率为100 MHz时的典型输出功率 ≃ 11 W连续波，频率为400 MHz时为9 W连续波，频率为900 MHz时为 6.5 W连续波
宽带，单匹配网络，20至1000 MHz频率范围
集成静态电流温度补偿，具有启用/禁用功能
集成的ESD保护
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，16 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

PQFN 8x8 Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MW7IC008NT1 100-1000 MHz, 8 W Peak, 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier - Data Sheet (REV 3) PDF (337.2 kB) MW7IC008N [English]	19 Dec 2013

应用说明 (4)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014
PCB Layout Guidelines for PQFN/QFN Style Packages Requiring Thermal Vias for Heat Dissipation - AN3778 (REV 0) PDF (632.0 kB) AN3778 [English]	26 Feb 2010
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987 (REV 1) PDF (111.6 kB) AN1987 [English]	12 May 2004
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977 (REV 0) PDF (112.8 kB) AN1977 [English]	09 Oct 2003

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (1)

名称/描述	Modified Date
98ASA10760D, PQFN-EP, 8.0x8.0x2.1, Pitch 0.8, 24 Pins (REV B) PDF (44.4 kB) 98ASA10760D [English]	21 Mar 2016

印刷电路板

MW7IC008NT1 CAD DXF File (REV 1a) ZIP MW7IC008N_DXF_PCB 6/21/2011

订购信息

型号	状态	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MW7IC008NT1	Active		100	1000	28	38.1	6.5	6.5 @ CW	1-Tone	23.5 @ 900	34	3.2	I/O	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	MSL	PPT (°C)
PWR QFN 24 882.1P0.8	98ASA10760D	MPQ - 1000 REELPOQ - 1000 BOX	Active	MW7IC008NT1	MW7IC008NT1.pdf		3	260

MW7IC008NT1 100-1000 MHz, 8 W Peak, 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier - Data Sheet MW7IC008N

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

PCB Layout Guidelines for PQFN/QFN Style Packages Requiring Thermal Vias for Heat Dissipation - AN3778 MMG3006NT1

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987 MMRF2010N

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977 MMRF2010N

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

MW7IC008NT1 CAD DXF File MW7IC008N

98ASA10760D, PQFN-EP, 8.0x8.0x2.1, Pitch 0.8, 24 Pins MMRF2006N

MW7IC008NT1.pdf MW7IC008N

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