NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用超薄SOT1061无引脚小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,具有中等功率能力。
PNP补充产品:PBSS9410PA。
名称/描述 | Modified Date |
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100 V, 5.2 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor (REV 1.0) PDF (168.0 kB) PBSS8510PA [English] | 02 Jun 2010 |
名称/描述 | Modified Date |
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Low VCEsat transistors in medium power loadswitch applications (REV 2.0) PDF (252.0 kB) AN10909 [English] | 14 Mar 2013 |
Next generation of NXP® low VCEsat transistors: improved technology for discrete semiconductors (REV 3.0) PDF (1.3 MB) AN11045 [English] | 04 Mar 2013 |
Thermal behavior of small-signal discretes on multilayer PCBs (REV 1.0) PDF (211.0 kB) AN11076 [English] | 12 Jul 2011 |
名称/描述 | Modified Date |
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DFN2020-3: plastic thermal enhanced ultra thin small outline package; no leads; 3 terminals; body 2 x 2 x 0.65 mm (REV 1.0) PDF (185.0 kB) SOT1061 [English] | 08 Feb 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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DFN2020-3; reel pack; standard product orientation; 12NC ending 115 (REV 1.0) PDF (261.0 kB) SOT1061_115 [English] | 07 Nov 2012 |
名称/描述 | Modified Date |
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PBSS8510PA NXP Product Quality (REV 1.2) PDF (74.0 kB) PBSS8510PA_NXP_PRODUCT_QUALITY [English] | 31 Jan 2015 |
名称/描述 | Modified Date |
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Reflow Soldering Profile (REV 1.0) PDF (34.0 kB) REFLOW_SOLDERING_PROFILE [English] | 30 Sep 2013 |
型号 | 状态 | Package version | Package name | 大小 (mm) | Transistor polarity | transistor polarity | Ptot [max] (mW) | number of transistors | VCEO [max] (V) | IC [max] (A) | ICM [max] (A) | hFE [min] | hFE [typ] | fT [min] (MHz) | fT [typ] (MHz) | RCEsat [typ] (mΩ) | RCEsat [max] (mΩ) | VCEsat [max] (mV) |
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PBSS8510PA | Active | SOT1061 | DFN2020-3 | 2 x 2 x 0.65 | NPN | 2100 | 1 | 100 | 5.2 | 6 | 180 | 285 | 95 | 150 | 48 | 65 | 340 |
产品编号 | 封装说明 | Outline Version | 回流/波峰焊接 | 包装 | 产品状态 | 部件编号订购码 (12NC) | Marking | 化学成分 | RoHS / 无铅 / RHF | 无铅转换日期 | EFR | IFR(FIT) | MTBF(小时) | MSL | MSL LF |
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PBSS8510PA | SOT1061 | Reflow_Soldering_Profile | Reel 7" Q1/T1 | Active | PBSS8510PA,115 (9340 639 24115) | AE | PBSS8510PA | Always Pb-free | 153.0 | 0.71 | 1.41E9 | 1 | 1 |