FCD7N60:N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 7A, 600mΩ
FCD7N60 SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET产品非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FCD7N60TM | 量产 从2012年11月起符合绿色标准 |
$1.52 |
TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCD 第三行:7N60 |
RTHETA (JA) : 83 °C/W RƟJC : 1.5 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
| FCD7N60TM_WS | 量产 从2012年11月起符合绿色标准 |
$1.52 |
TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCD 第三行:7N60 |
RTHETA (JA) : 83 °C/W RƟJC : 1.5 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| AN-9067 | LLC 谐振变换器中MOSFET失效模式的分析(1,635 K) 2013年4月15日 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 7A, 600mΩ | FCD7N60 | 1 |
