FDD3N50NZ:N 沟道 UniFETTM II MOSFET 500V,2.5A,2.5Ω

FDD3N50NZ UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻,还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外,内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器

技术特性
  • 低导通电阻
  • 低栅极阈值电压
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏
  • 超小型表面贴装封装
  • 无铅/符合RoHS标准
  • 根据JEDEC A114A,ESD HBM=2000V;根据JEDEC C101C,ESD CDM = 2000V
应用
  • AC-DC商用电源 消费型设备 DC-DC商用电源 台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LED TV LCD 电视 照明 笔记本电脑 PC服务器 PDP电视 不间断电源.
实物参考图

FDD3N50NZ 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDD3N50NZTM 量产
从2009年12月起符合绿色标准
$0.52 TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDD
第三行:3N50NZ
RTHETA (JA) :  90  °C/W
RƟJC :  3.1  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  1  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 UniFETTM II MOSFET 500V,2.5A,2.5Ω FDD3N50NZ 1