FDME510PZT:-20V P沟道PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDME510PZT

FDME510PZT:-20V P沟道PowerTrench® MOSFET

FDME510PZT 该器件是专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的电池充电或负载开关应用而设计的。它具有带低通态电阻的MOSFET。MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

技术特性

VGS = -4.5 V，ID = -5 A时，rDS(on)
= 37 mΩ（最大值）
VGS = -2.5 V，ID = -4 A时，最大rDS(on) = 50mΩ
VGS = -1.8 V，ID = -3 A时，最大rDS(on) = 65mΩ
VGS = -1.5 V，ID = -2 A时，最大rDS(on) = 100mΩ
薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
不含有卤化合物和氧化锑
HBM静电放电保护等级为1600V（注3）
符合RoHS标准

实物参考图

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDME510PZT	量产	$0.247	UMLP 1.6x1.6 6L (MicroFET) 示意图胶带卷轴	第一行:&Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:7T	FIT : 1.8 ESD (HBM) : 2400 V RTHETA (JA) : 60 °C/W

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010	MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065	FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日
AN-9067	LLC 谐振变换器中MOSFET失效模式的分析(1,635 K) 2013年4月15日

数据资料DataSheet下载

概述	文档编号	版本
-20V P沟道PowerTrench® MOSFET	FDME510PZT	1

©1993 - 2024 BDTIC