FDML7610S:30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级

FDML7610S 该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点,以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效

技术特性
  • Q1: N 沟道
    • RDS(on)最大值 = 7.5 mΩ(VGS = 10 V、ID = 12 A)
    • RDS(on)最大值 = 12 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 10A)
  • Q2: N 沟道
    • RDS(on)最大值 = 4.2 mΩ(VGS = 10 V、ID = 17 A)
    • RDS(on)最大值 = 5.5 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 14 A)
    • 符合 RoHS 标准
实物参考图

FDML7610S 实物参考图

应用
  • 服务器和大型机 工作站 台式计算机 笔记本电脑 PC服务器 多媒体平板电脑 存储和外设 打印机 图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理 路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁 宽带接入 宽带调制解调器 企业语音网络 中央办公室 广播和工作室 其他有线通信 手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器 移动通信基础设施 外部AC-DC商用电源-有线通信 其他无线通信 PMP/MP3播放器 家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视 摄像机 DVD机 机顶盒 DSC 视频游戏机 电子书阅读器 消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频 其他消费型电子 医疗电子/设备 自动化 测试和测量 楼宇和住宅控制 其他工业 军用和民用航空
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产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDML7610S 量产 $0.69 MLP 3x4.5 8L (Power 3x4.5) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
&2 (2 位日期代码) &K
第二行:FDML
第三行:7610S
FIT :  5.4  
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  600  V
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级 FDML7610S 1