FDPF18N20FT:N 沟道 UniFETTM FRFET® MOSFET 200V，18A，140mΩ
FDPF18N20FT UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDPF18N20FT | 量产 | $0.92 | TO-220F 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDPF 第三行:18N20FT |
RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 3 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 UniFETTM FRFET® MOSFET 200V，18A，140mΩ | FDPF18N20FT | 1 |
