FGA15N120ANTDTU:1200V,15A,NPT沟道IGBT

FGA15N120ANTDTU 该1200V NPT IGBT采用飞兆®专有沟道设计和先进NPT技术,提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性,易于并行运行。 该设备非常适合谐振或软开关应用,例如感应加热、微波炉等。

技术特性
  • NPT沟道技术,正温度系数
  • 低饱和电压: VCE(sat)(典型值) = 1.9V@ IC = 15A且TC = 25°C
  • 低开关损耗: EOFF(典型值) = 0.6mJ(IC = 15A且TC = 25°C时)
  • 极度增强雪崩能力
应用
  • 消费型设备
实物参考图

FGA15N120ANTDTU 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGA15N120ANTDTU_F109 量产 $2.47 TO-3P 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGA15N120
第三行:ANTD
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.67  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
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概述 文档编号 版本
1200V,15A,NPT沟道IGBT FGA15N120ANTDTU 1