FGA30N120FTD:1200V,30A,场截止沟道IGBT

FGA30N120FTD 飞兆半导体®的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道技术,为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。 该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。 该器件为感应加热和微波炉设计。

技术特性
  • 场截止沟道技术
  • 高速开关
  • 低饱和电压: VCE(sat) = 1.6V @ IC = 30A
  • 高输入阻抗
应用
  • 消费型设备
实物参考图

FGA30N120FTD 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGA30N120FTDTU 量产 $4.44 TO-3P 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGA30N120
第三行:FTD
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.38  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
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概述 文档编号 版本
1200V,30A,场截止沟道IGBT FGA30N120FTD 1