FGA30N60LSD: 600V, 30A, PT IGBT

FGA30N60LSD FGA30N60LSD IGBT 使用飞兆半导体®的先进 PT 技术,提供卓越的传导性能,从而为光伏逆变器和 UPS 等低传导损耗为最重要因素的中频开关应用提供最佳性能

技术特性
  • 低饱和电压:VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A
  • 高输入阻抗
  • 低传导损耗
应用
  • 发电和配电
实物参考图

FGA30N60LSD 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGA30N60LSDTU 量产 $8.01 TO-3P 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGA30N60
第三行:LSD
FIT :  1.7  
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.26  °C/W
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概述 文档编号 版本
600V, 30A, PT IGBT FGA30N60LSD 1