FGA50N100BNTD2:1000 V NPT 沟道 IGBT
FGA50N100BNTD2 该1000V NPT IGBT采用飞兆®专有沟道设计和先进NPT技术，提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性，易于并行运行。该器件为 UPS 及焊机等硬开关应用提供最佳性能。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGA50N100BNTD2 | 量产 | $4.31 | TO-3P 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGA50N100 第三行:BNTD2 |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.8 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 1000 V NPT 沟道 IGBT | FGA50N100BNTD2 | 1 |
