FGAF20N60SMD:600V,20A,场截止 IGBT

FGAF20N60SMD 飞兆半导体®的场截止第二代IGBT新系列采用新型场截止IGBT技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

技术特性
  • 最大结温TJ = 175°C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat) = 1.7 V(典型值)@ IC = 20A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关:EOFF =7uJ/A
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 消费型设备
  • 运动控制-家用设备
实物参考图

FGAF20N60SMD 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGAF20N60SMD 量产 N/A TO-3PF 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGAF20N60
第三行:SMD
FIT :  1.7  
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  2  °C/W
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概述 文档编号 版本
600V,20A,场截止 IGBT FGAF20N60SMD 1