FGD3N60UNDF:600 V，3 A，短路额定 IGBT
FGD3N60UNDF 通过采用创新的场截止沟道 IGBT技术，飞兆半导体®新型系列的场截止沟道IGBT可为太阳能变频器、UPS、焊机和PFC等硬开关应用提供最佳性能
技术特性
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGD3N60UNDF | 量产 | N/A | TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGD3N60 第三行:UNDF |
RTHETA (JA) : 150 °C/W RƟJC : 2.08 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 600 V，3 A，短路额定 IGBT | FGD3N60UNDF | 1 |
