FGH80N60FD2:600 V 场截止 IGBT

FGH80N60FD2 飞兆半导体®的场截止IGBT系列采用新型场截止IGBT技术,为感应加热和功率因数校正(PFC)等低导通损耗和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

技术特性
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat) =1.8V @ IC = 40A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 消费型设备
实物参考图

FGH80N60FD2 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGH80N60FD2TU 量产 $3.15 TO-247 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGH80N60
第三行:FD2
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.43  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
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概述 文档编号 版本
600 V 场截止 IGBT FGH80N60FD2 1