FJBE2150D:ESBC™™ 额定NPN晶体管
FJBE2150D 是一个低成本、高性能的功率开关，设计用于以下应用中的ESBC™ 配置： 电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。 功率开关可在高达1250V的电压和3amps的电流下工作，同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。ESBC™ 开关使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。 ESBC MOSFET 是低电压、低成本、表面贴装器件，同时具备低输入电容和快速开关特性。 由于没有米勒电容，ESBC™ 配置可进一步最小化所需驱动电源。FJBE2150D因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计，因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。 该器件具有雪崩额定值，并且没有寄生晶体管，因此它不易于发生静态dv/dt故障。该功率开关采用专用的高压双极工艺制造，并以额定值为2500 V的爬电和间隙密封于高压HV-D2PAK 封装中。
技术特性
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FJBE2150DTU | 量产 | N/A | TO-263 2L (D2PAK) 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:J2150D |
RTHETA (JA) : 76.42 °C/W RƟJC : 1.13 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| ESBC™™ 额定NPN晶体管 | FJBE2150D | 1 |
