FQA13N80_F109:-30V单P沟道PowerTrench® MOSFET

FQA13N80_F109 SupreMOS® MOSFET是飞兆半导体®的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统SJ MOSFET产品的深沟槽填充工艺。 这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

技术特性
  • RDS(on) = 244mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 6.5A
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 30.4nC )
  • 低有效输出电容(典型值 Coss.eff = 145pF )
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • AC-DC商用电源 消费型设备 DC-DC商用电源 台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视 LED TV 照明 笔记本电脑 PC服务器 PDP电视 不间断电源
实物参考图

FQA13N80_F109 实物参考图

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FQA13N80_F109 量产 $3.17 TO-220F 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
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3 (3 位日期代码) 
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第二行:FCPF
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FIT :  1.2  
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  3.7  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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AN-6099 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
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概述 文档编号 版本
-30V单P沟道PowerTrench® MOSFET FQA13N80_F109 1