FQD5N50C: 500V N-Channel Advance QFET® C-Series _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

FQD5N50C: 500V N-Channel Advance QFET® C-Series

不推荐新设计使用截至2014年3月24日

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

FQD5N50C 数据手册

特性

4.0A, 500V, R_DS(on) = 1.4Ω @V_GS = 10 V
Low gate charge (typical 18 nC)
Low Crss (typical 15 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability

**Ordering Code 订购信息**
产品	产品和生态状况	替代部件编号	包装方法规则	丝印标记
FQD5N50CTM_SN00123	废弃截至2011年12月14日符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	FDD5N50NZTM	TO-252 3L (DPAK) - 2.38 x 6.54 x 9.49mm, 卷带 PDF TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年9月 PDF TO252-3L, SURFACE MOUNT JEDEC, VARIATION AB, PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQD 第三行5N50C
FQD5N50CTM_WS	不推荐新设计使用截至2014年3月24日符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	FDD5N50NZTM	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 PDF TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 PDF TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 PDF TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 PDF TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQD 第三行5N50CS
FQD5N50CTM	废弃截至2011年12月14日符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	FDD5N50NZTM	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 PDF TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 PDF TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 PDF TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 PDF TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQD 第三行5N50C
FQD5N50CTM_SN00123	0.7	0.6	55	150
FQD5N50CTM_WS	0.7	0.6	55	150
FQD5N50CTM	0.7	0.6	55	150