不推荐新设计使用截至2013年12月13日
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
| FQP12N60C 数据手册 |
| 产品 | 产品和生态状况 | 替代部件编号 | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FQP12N60C | 不推荐新设计使用截至2013年12月13日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | FDP12N60NZ
| TO-220 3L
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4.83 x 10.16 x 8.89mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQP |
| FQP12N60C | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
