• 简体中文
• English

FQP13N50C: N 沟道 QFET® MOSFET 500 V、13 A、480 mΩ

废弃截至2017年2月27日

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

特性

• 13 A、500 V、_RDS(on) = 480 mΩ（最大值）@ V_GS = 10 V、I_D = 6.5 A
• 低栅极电荷（典型值 43 nC)
• 低 Crss（典型值 20 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试