不推荐新设计使用截至2009年7月14日
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products.
| FQP50N06 数据手册 |
| 产品 | 产品和生态状况 | 替代部件编号 | 包装方法规则 | 丝印标记 |
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| FQP50N06 | 不推荐新设计使用截至2009年7月14日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | 无
| TO-220 3L
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4.83 x 10.16 x 8.89mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQP |
